氫氧化鉀濃度對(duì)洗脫時(shí)間的影響 (2) (SI-36 4D)

更新時(shí)間：2025-02-17 點(diǎn)擊次數(shù)：120

此色譜柱請(qǐng)配合使用抑制器法離子色譜系統(tǒng)。

下圖是使用陰離子分析用色譜柱IC SI-36 4D分析各陰離子，流動(dòng)相氫氧化鉀濃度和洗脫時(shí)間的關(guān)系。降低流動(dòng)相氫氧化鉀濃度會(huì)增強(qiáng)對(duì)樣品的保留，特別是對(duì)于硫酸根離子而言，洗脫位置會(huì)發(fā)生很大變化。雖然氫氧化鉀水溶液的標(biāo)準(zhǔn)濃度為25 mM，但是當(dāng)同時(shí)分離標(biāo)準(zhǔn)陰離子和鹵素氧化物時(shí)，可以通過(guò)降低洗脫液濃度來(lái)改善分離。

Sample : 25 μL
1. F^- 0.5 mg/L
2. ClO₂^- 5 mg/L
3. BrO₃^- 5 mg/L
4. Cl^- 3 mg/L
5. NO₂^- 5 mg/L
6. SO₄^2- 10 mg/L
7. ClO₃^- 5 mg/L
8. Br^- 10 mg/L
9. NO₃^- 10 mg/L

Column : Shodex IC SI-36 4D (4.0 mm I.D. x 150 mm)

Eluent : 15, 18, 20, 22, 25 mM KOH aq.

(Eluent source : DionexTM EGC 500 KOH)

Flow rate : 0.7 mL/min

Detector : Suppressed conductivity

Column temp. : 30 ℃

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氫氧化鉀濃度對(duì)洗脫時(shí)間的影響 (2) (SI-36 4D)